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一种半导体元件与其制造方法。半导体元件包含基板、磊晶层、第三介电层、屏蔽层、第四介电层、栅极、多个掺杂区以及第五介电层。磊晶层位于基板上。第三介电层设置于磊晶层的第一沟渠中，并形成第二沟渠于第一沟渠中。屏蔽层具有上半部分与下半部分，其中下半...
该专利属于帅群微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过帅群微电子股份有限公司授权不得商用。

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