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本申请案涉及包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法。本发明涉及一种半导体装置结构，其包括交替的电介质层级和导电层级的分层以及在阶梯结构的所述分层上方的掺杂碳的氮化硅。所述掺杂碳的氮化硅排除碳氮化硅。一种形成所述半导体装置结构的方法包括...
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