温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部上形成有沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；在所述沟道叠层上形成伪栅结构；在所述伪栅结构两侧的所述沟道叠层内形成开口；去除所述伪栅结...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。