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用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构制造技术
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下载用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构的技术资料
文档序号:20500026
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本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法,在一个实现中,在种晶层上形成所述金属层,并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(P...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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