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本发明公开了一种SONOS单元的角模型架构及其调试方法,所述架构包括P0状态和P1状态分支,所述P0状态分支,P1状态分支各自细分为BOL状态和EOL状态子分支,每个子分支再根据sonos元件和fnpass元件细分为typical,fast...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种SONOS单元的角模型架构及其调试方法,所述架构包括P0状态和P1状态分支,所述P0状态分支,P1状态分支各自细分为BOL状态和EOL状态子分支,每个子分支再根据sonos元件和fnpass元件细分为typical,fast...