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基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片制造技术
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下载基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片的技术资料
文档序号:20422179
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本发明公开了一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片,该芯片上层由周期性排布的纳米介质柱簇构成,下层为介质基底;上层的折射率大于下层;芯片的集体磁偶极共振波长和集体电偶极共振波长满足其中一个等于荧光标记物的激发波长,另一个等于荧光标记物...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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