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本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于抑制铜钴阻挡层电偶腐蚀及钴表面点蚀的抛光浆料，包括下述重量份组分：研磨颗粒1‑20份、钴表面保护剂0.001‑5份、唑类化合物0.001‑5份、络合剂0.1‑6份和氧化剂0.01‑3份；抛光浆料pH值为...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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