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本发明专利公布了一种蓝宝石单面抛光片厚度不良的返工流程与方法，其特征在于通过现有设备对蓝宝石晶片单面进行抛光；首先对抛光后的蓝宝石晶片表面进行图形测绘；然后通过测量分析得出蓝宝石晶片表面厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)；根据...
该专利属于浙江博蓝特半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江博蓝特半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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