一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法技术

本发明专利技术专利公布了一种蓝宝石单面抛光片厚度不良的返工流程与方法，其特征在于通过现有设备对蓝宝石晶片单面进行抛光；首先对抛光后的蓝宝石晶片表面进行图形测绘；然后通过测量分析得出蓝宝石晶片表面厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)；根据对蓝宝石晶片表面厚度单位区域(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析，结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良；最后用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛。测量抛光后蓝宝石返抛片的整体厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)，直到达到晶片厚度平整度要求。

A Rework Process and Method for Sapphire Single-sided Polished Wafer with Underthickness

The patent of the invention discloses a process and method for repairing sapphire wafer with poor thickness, which is characterized by polishing sapphire wafer on one side by existing equipment. Firstly, the surface of the polished sapphire wafer is mapped graphically. Then, the unit area difference of sapphire wafer surface thickness (TTV, LTV, TIR, pits) is obtained by measuring and analyzing. Based on the numerical analysis of TTV, LTV, TIR and pit area of wafer surface thickness, the polishing wafer carrier, polishing pad, machine table and polishing fluid are improved according to the principle of reducing the scrap rate of wafer and improving the maximum utilization rate of wafer rework. Finally, the sapphire single thrower is thrown back by the adjusted polishing method. Measure the unit area difference (TTV, LTV, TIR, pit) of the overall thickness of the polished sapphire backlash wafer until the wafer thickness flatness requirements are met.

【技术实现步骤摘要】
一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法
本专利技术涉及一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，尤其是涉及一种蓝宝石单面抛光片表面后去厚度差异大的不良返工流程与方法
技术介绍
随着太阳能产业链的材料碳化硅的蓬勃发展，蓝宝石LED照明产业凭借其在节能降耗领域的性能优势，迎来黄金发展期，市场规模正在急剧扩大。随着技术的进步，从2015年开始，国内外市场主流制作高亮蓝光LED的衬底均选用4英寸蓝宝石平片或图形化蓝宝石衬底(PSS)。为了提高图形化产品一致性和整体合格率,目前正向较大尺寸的4英寸蓝宝石衬底片方向发展,衬底片加工是LED全产业链中一个非常重要的环节,也是外延客户的重要原材料,占外延成本达30％以上,因此,蓝宝石衬底的成本至关重要,而目前各厂家的衬底良率已经来到>90％的关头,如何救回已经产生的蓝宝石单抛厚度不良片,是各厂家节省成本的重要研究项目,透过提高整体的良率与产出来符合客户的价格需求传统的表面厚度不良解决方法通常以以研磨砂浆整批作业方式，难以确保晶片背面粗糙度的均匀性要求，以及抛光面的保护，良率难以提高，因此，本专利提出一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，其特征在于该流程与方法的控制步骤为：步骤一，首先对抛光后的厚度不良单抛晶片表面进行图形测绘。步骤二，通过测绘分析得出蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)不符合要求的区域。步骤三，根据对蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光机台晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良。步骤四，用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛，测量抛光后蓝宝石晶片表面的厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)。

【技术特征摘要】
1.一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，其特征在于该流程与方法的控制步骤为：步骤一，首先对抛光后的厚度不良单抛晶片表面进行图形测绘。步骤二，通过测绘分析得出蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)不符合要求的区域。步骤三，根据对蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光机台晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良。步骤四，用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛，测量抛光后蓝宝石晶片表面的厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)。2.根据权利要求1所述的晶片表面进行图形测绘，其采用的检测设备可以是FRT、FT-17、AOI,扫描的方式可以单点、多点、单线、多线、2D...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐良，占俊杰，阳明益，蓝文安，刘建哲，陈吉超，余雅俊，
申请(专利权)人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33