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本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器。三维存储器包括阵列存储区，阵列存储区具有至少一个块存储区。块存储区包括：具有衬底和位于衬底上的堆叠层，堆叠层包括沿与衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；间隔设置的第一栅线隙和第二栅线隙；...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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