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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:20367338
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半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括设置在基板上的层叠结构,该层叠结构包括牺牲层和绝缘层交替地层叠的第一区域以及导电层和绝缘层交替地层叠的第二区域。该层叠结构还包括设置在第一区域与第二区域之间的边界处的第一狭缝绝缘层,其中,该第一狭缝...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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