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本发明公开了一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，该纳米片分布均匀，其厚度约为15～50纳米。制备方法为：将硒粉加入水合肼和去离子水的混合液中，并将该溶液转移到反应容器中，将裁剪好的铜基材料放入该容器中在室温下反应1～10分钟...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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