一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，该纳米片分布均匀，其厚度约为15～50纳米。制备方法为：将硒粉加入水合肼和去离子水的混合液中，并将该溶液转移到反应容器中，将裁剪好的铜基材料放入该容器中在室温下反应1～10分钟，反应完成后对铜基材料进行清洗烘干，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。本发明专利技术的硒化亚铜纳米片制备工艺简单新颖，制备时间短，成本低廉，稳定性好。

【技术实现步骤摘要】
一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法
本专利技术涉及纳米材料合成领域，具体地说，特别涉及一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法。
技术介绍
近年来，Cu-Se体系由于其独特的物理化学性质而备受关注，根据Cu和Se的价态，可以组成很多种化合物，例如Cu2Se、Cu2-xSe、Cu3Se2、Cu5Se4等。作为一种典型的p型半导体材料，Cu-Se体系已经广泛应用于热电、太阳能电池、超离子导体等领域。为了合成具有独特形貌和晶体结构的Cu-Se体系，其合成方法也得到了广泛的探索。水热法、微波法、化学沉积法和牺牲模板法是制备Cu-Se系最典型的合成方法。Pazhamalai(Int.J.HydrogenEnerg.41(2016)14830-14835)等采用水热法在铜箔集流体上原位合成CuSe2纳米针，温度120℃，反应时间12h。Li(SolidStateSci.16(2013)125-129)等采用微波法制备硒化铜，探讨了不同微波时间下硒化铜的形貌和结构变化。Zhou(J.Electron.Mater.43(2014)359-368)等以自制备的Cu(OH)2纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：(1)、称取硒粉放入反应容器中，所述硒粉的质量为25mg～80mg；(2)、称量水合肼与去离子水，加入步骤(1)的反应容器中，所述水合肼与去离子水的体积比为1:1至1:5；(3)、将步骤(2)中得到的反应容器放入超声波设备或搅拌设备中，10～20分钟后取出；(4)、裁剪面积为1～8cm2的铜基材料，用去离子水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；(5)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(4)所得铜基材料5～20分钟，取出并用去离子水清洗干净，置入步骤(3)的反应容器中；(6)、将步骤(5)所得反应容...

【技术特征摘要】
1.一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：(1)、称取硒粉放入反应容器中，所述硒粉的质量为25mg～80mg；(2)、称量水合肼与去离子水，加入步骤(1)的反应容器中，所述水合肼与去离子水的体积比为1:1至1:5；(3)、将步骤(2)中得到的反应容器放入超声波设备或搅拌设备中，10～20分钟后取出；(4)、裁剪面积为1～8cm2的铜基材料，用去离子水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；(5)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(4)所得铜基材料5～20分钟，取出并用去离子水清洗干净，置入步骤(3)的反应容器中；(6)、将步骤(5)所得反应容器在室温下放置1～10分钟；(7)、反应完毕后，将步骤(6)所得的产物从反应容器中取出，经清洗、干燥后，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。2.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述硒粉、水合肼均为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张开友，吴丽婷，陈汉，覃爱苗，陈硕平，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45