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本发明涉及一种基于MEMS工艺的多层结构离子源芯片，包括底层硅、中间层玻璃、导电硅和顶层玻璃；底层硅上侧设有电极层和碳纳米管；中间层玻璃两侧分别设电极层；顶层玻璃下侧设电极层；底层硅与中间层玻璃结合，中间层玻璃及顶层玻璃分别与导电硅结合。中...
该专利属于东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学授权不得商用。

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