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本发明公开了一种半导体激光器件高频电极装置及制作方法，该装置制作方法包括：在刻蚀完脊型波导的半导体激光器件上面利用化学气相沉积设备生长二氧化硅；采用反转胶光刻出脊型波导窗口，并采用氢氟酸腐蚀液腐蚀掉窗口的二氧化硅；涂覆聚酰亚胺，氮气环境下固...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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