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本发明公开了一种三维存储器件及其制备方法。所述三维存储器件具有沟道通孔，所述方法包括以下步骤：在所述沟道通孔的侧壁以及底部形成功能层；去除覆盖在所述沟道通孔的底部的所述功能层，以使所述功能层形成为以下结构：所述功能层的底端内壁沿所述沟道通孔...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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