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本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包含在半导体鳍上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构的相对两侧上形成介电层，以及移除虚设栅极结构，以在介电层中形成凹陷。此方法还包含在凹陷的侧壁和底部上依序形成栅极介电层和至少一导电层，以及用含氟的化学...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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