温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了形成用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的方法的实施例。在一个示例中，在衬底上形成第一电介质层，并且在第一电介质层上形成第一光刻胶层。通过修整蚀刻第一电介质层的循环将凹槽穿过第一电介质层图案化到衬底。将电介质/牺牲层对形成在第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。