下载在合并N阱块中使用分离N阱单元的方法和装置以及对应的器件的技术资料

文档序号:20290621

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

在本公开的一个方面,提供了一种用于减少由在合并n阱电路块(700)中使用分离n阱单元(704)而引起的路由拥塞的MOS器件。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻的第一组单元(702)。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻并且在第二方向上与第一组...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。