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本发明涉及一种用于制造含铪的镍基单晶超合金部件的方法。该方法的特征在于，该方法包括以下连续步骤：制造镍基、非铪掺杂的单晶超合金，由该超合金制造部件，在所述部件上直接沉积厚度在50nm和800nm之间的铪层，进行铪扩散处理，以在所述部件的表面...
该专利属于赛峰集团所有，仅供学习研究参考，未经过赛峰集团授权不得商用。

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