温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，由下向上依次层叠设置的漏极、N型SiC衬底层、N型漂移层；JFET区、沟道、P阱，依次位于N型漂移层上，且另一边关于JFET区对称，P阱的厚度小于所述沟道的厚度；P型接触区、N型接触区，均位于P阱上，P...
该专利属于秦皇岛京河科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过秦皇岛京河科学技术研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。