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本发明涉及一种闪存结构，包括：在衬底上形成的纳米线，沿所述纳米线的延伸方向，所述纳米线上设置有沟道区以及位于所述沟道区两侧的源端和漏端，所述源端和所述漏端分别与所述衬底中的源极区和漏极区连接；以及第一围栅结构和第二围栅结构，沿垂直于所述纳米...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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