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本发明公开了一种闪存的制造方法，闪存的存储区的制造步骤包括：步骤一、形成有源区并完成闪存单元的第一栅极结构的制作；有源区由形成于硅衬底表面的场氧隔离并呈条形结构和平行排列；同一行的第一栅极结构的多晶硅控制栅连接在一起并组成多晶硅行；步骤二、...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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