温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及具有嵌埋位线的存储器阵列及形成存储器阵列的方法，其披露一种结构，其中，存储器阵列中的存储器单元的垂直场效应晶体管(VFET)的下方源/漏区在嵌埋位线上方对齐并与其电性连接。各单元包括具有下方源/漏区、上方源/漏区以及垂直延伸于该些...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。