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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，栅极结构露出的基底上形成有第一介质层；在基底和第一介质层上沉积一金属层，并退火，然后去除金属层；在第一介质层顶部以及栅极结构顶...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。