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本发明提供一种硅片切割裂片工艺，包括如下步骤：测试：利用测试装置测试硅片的电学特性；切割：从P面自动将硅片对准，从N面进行划片；裂片：自动对硅片进行裂片。本发明的有益效果是切割方向采用P面切割，省去了N面做切割道工序，节约成本，自动裂片效率...
该专利属于天津环鑫科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津环鑫科技发展有限公司授权不得商用。

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