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本发明提出一种半导体结构，包括：半导体装置、第一导电层以及栅极通路。半导体装置包括上表面、栅极端、源极端以及漏极端。第一导电层放置上表面且耦接至源极端。栅极通路与第一导电层相互重叠且耦接至栅极端，栅极通路以及第一导电层用以产生栅极端以及源极...
该专利属于台达电子工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台达电子工业股份有限公司授权不得商用。

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