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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第一区和第二区；在基底上形成由第一区延伸至第二区的栅介质层和位于栅介质层上的伪栅极层；在基底上形成介质层，介质层顶部暴露出伪栅极层表面；在第二区伪栅极层中掺入掺杂离子；在第二区伪栅极层中掺...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。