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本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述半导体器件包括衬底，所述衬底上形成有多个多晶硅栅结构、在所述多个多晶硅栅结构的侧壁形成有侧墙保护结构，该制造方法更包括：通过HARP DEP工艺，形成第一层介电层，所述第一...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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