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公开了一种沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族金属有机掺杂剂前体。所述方法可还包括在衬底的表面上沉积IV族半导体。还提供了包...
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