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公开一种在衬底表面上选择性沉积IV族半导体的方法。所述方法可以包括在反应室内提供衬底和将所述衬底加热到沉积温度。所述方法可以另外包括将所述衬底暴露于至少一种IV族前体和将所述衬底暴露于至少一种IIIA族卤化物掺杂剂前体。还提供了包括通过本公...
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