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一种宽带倍频晶体器件制造技术
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下载一种宽带倍频晶体器件的技术资料
文档序号:20241404
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本发明涉及一种宽带倍频晶体器件,器件的材质为DADP晶体,在20‑30℃温度条件下,DADP晶体相位匹配折返点波长λc与晶体中氘含量占比XD满足线性关系:λc=1.0272+0.1394×XD,考虑晶体的定向精度,折射率测试精度,原料纯度、...
该专利属于山东大学所有,仅供学习研究参考,未经过山东大学授权不得商用。
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