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本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：对热场装置除杂、混料、长晶和退火处理。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法的技术成本和资金成本低。制备的碳化硅单晶的电...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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