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本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法和成膜装置。反复进行对被处理基板交替供给氯化钨气体和H2气体的循环，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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