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本发明公开了一种改善控深钻孔图电后镀锡不良的工艺,包括以下步骤:对经过显影、蚀刻和褪膜处理的电路板进行上下压化片铜箔;进行钻通孔和控深钻盲钻孔处理;进行沉铜和VCP电镀后盖孔;进行图形转移和图形电镀;经过电测和目检后包装;其中,所述图形电镀...该专利属于开平太平洋绝缘材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过开平太平洋绝缘材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种改善控深钻孔图电后镀锡不良的工艺,包括以下步骤:对经过显影、蚀刻和褪膜处理的电路板进行上下压化片铜箔;进行钻通孔和控深钻盲钻孔处理;进行沉铜和VCP电镀后盖孔;进行图形转移和图形电镀;经过电测和目检后包装;其中,所述图形电镀...