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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的栅极导体与层间绝缘层；以及沟道柱，贯穿栅叠层结构，3D存储器件还包括贯穿沟道柱与栅叠层结构的第二隔离结构，其中，第二隔离结...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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