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本发明公开了一种存储器，单元结构包括：第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第一源漏区和第二源漏区；第一和三栅极结构对称的设置在第二栅极结构的两侧；第二栅极结构的多晶硅字线栅由二层多晶硅层叠加形成，第一多晶硅层位于底部且第一多晶硅层和对...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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