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本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，结构包括：衬底；P型半导体沟道及N型半导体沟道，悬空于衬底上；栅介质层，包围P型半导体沟道及N型半导体沟道；栅电极层，包围栅介质层；P型源区及P型漏区，连接于P型半导体沟道的两端；N型源区及N型漏区...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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