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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：基板，其具有第一导电层和比第一导电层设置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的至少一部分...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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