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本发明公开一种半导体装置的制作方法，其包括下列步骤：提供半导体基板，其上设置有鳍状结构；在鳍状结构内形成凹槽，致使半导体基板部分暴露出于凹槽的底面；在凹槽的侧面以及底面顺向性地形成掺质来源层；移除位于凹槽底面的掺质来源层，致使半导体基板部分...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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