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本发明属于半导体加工技术领域，涉及一种用于CIS行业的正性厚膜光刻胶，配方包括20‑35wt％改性酚醛树脂、3‑5wt％光敏剂、100‑500ppm的流平剂、1‑3wt％疏松剂和余量的乳酸乙酯。本发明正性厚膜光刻胶涂布超过50um厚度时涂布...该专利属于江苏艾森半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏艾森半导体材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明属于半导体加工技术领域，涉及一种用于CIS行业的正性厚膜光刻胶，配方包括20‑35wt％改性酚醛树脂、3‑5wt％光敏剂、100‑500ppm的流平剂、1‑3wt％疏松剂和余量的乳酸乙酯。本发明正性厚膜光刻胶涂布超过50um厚度时涂布...