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一种可见光波段氮化硅光束偏转芯片制造技术
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文档序号:20220925
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本发明提出了可见光波段氮化硅光束偏转芯片,包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于氮化硅波导的芯层;二氧化硅缓冲层设置在所述硅基衬底上;二氧化硅包层附在二氧化硅缓冲层上;芯层包括光分束单元、第一弯曲波导、第二弯曲波导、热光移相器和出...
该专利属于上海理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海理工大学授权不得商用。
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