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本发明公开了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括正面制绒，正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层，正面去膜；正面二次制绒，扩散，刻蚀，背面沉积钝化膜，正面二次沉积减反膜，背面开孔，电极印刷，烧结的步骤。通过本发明的制备方法制备...该专利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司授权不得商用。