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本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。所述氧化物半导体薄膜晶体管包括：衬底、设于衬底上的栅极、设于栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、设于氧化物半导体层上的阻挡层以及设于氧化物半导体层及栅极绝缘层上的源极...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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