氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。所述氧化物半导体薄膜晶体管包括：衬底、设于衬底上的栅极、设于栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、设于氧化物半导体层上的阻挡层以及设于氧化物半导体层及栅极绝缘层上的源极及漏极；所述氧化物半导体层包括：沟道区以及分别位于沟道区两侧的两接触区，源极及漏极分别与两接触区接触，阻挡层位于沟道区上；所述沟道区包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条，阻挡层包括分别对应位于多个沟道条上的多个阻挡条，能够减少氧化物半导体薄膜晶体管的功耗，提升氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲状态下的稳定性。

Oxide semiconductor thin film transistors and their fabrication methods

The invention provides an oxide semiconductor thin film transistor and a manufacturing method thereof. The oxide semiconductor thin film transistor comprises a substrate, a gate on a substrate, a gate insulating layer on a gate and a substrate, an oxide semiconductor layer on a gate insulating layer, a barrier layer on an oxide semiconductor layer, and a source and drain electrode on an oxide semiconductor layer and a gate insulating layer. The source and drain contacts with the two contact areas respectively, and the barrier layer is located on the channel area. The channel area includes a plurality of channel strips arranged at intervals along the width direction of the channel, and the barrier layer includes a plurality of barrier strips corresponding to a plurality of channel strips respectively, which can reduce the power consumption of oxide semiconductor thin film transistors and enhance oxide semiconductors. The stability of thin film transistors in winding state.

【技术实现步骤摘要】
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管基(TFT，ThinFilmTransistor)板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底(10)、设于所述衬底(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)及衬底(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的氧化物半导体层(40)、设于所述氧化物半导体层(40)上的阻挡层(50)以及设于所述氧化物半导体层(40)及栅极绝缘层(30)上的源极(60)及漏极(70)；所述氧化物半导体层(40)包括：沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的两接触区(42)，所述源极(60)及漏极(70)分别与两接触区(42)接触，所述阻挡层(50)位于所述沟道区(41)上；所述沟道区(41)包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道...

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底(10)、设于所述衬底(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)及衬底(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的氧化物半导体层(40)、设于所述氧化物半导体层(40)上的阻挡层(50)以及设于所述氧化物半导体层(40)及栅极绝缘层(30)上的源极(60)及漏极(70)；所述氧化物半导体层(40)包括：沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的两接触区(42)，所述源极(60)及漏极(70)分别与两接触区(42)接触，所述阻挡层(50)位于所述沟道区(41)上；所述沟道区(41)包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条(411)，所述阻挡层(50)包括分别对应位于所述多个沟道条(411)上的多个阻挡条(511)。2.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底(10)为柔性衬底。3.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区(41)与阻挡层(50)的交界位置具有氟离子，所述氟离子占据沟道区(41)中的氧空位。4.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层(40)的材料为IGZO。5.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层(50)的材料为氧化硅。6.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上形成衬底(10)；步骤S2、在所述衬底(...

【专利技术属性】
技术研发人员：章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44