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一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括第一导电型第一掺杂区域、第二导电型第二掺杂区域、源极区、漏极区、栅绝缘膜和栅电极。第一导电型第一掺杂区域形成在基板区中。第二导电型第二掺杂区域形成在基板中并与第一导电型第一掺杂区域间隔开。源极...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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