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本发明涉及利用埋置绝缘层作为栅极介电质的高压晶体管，通过使用SOI架构的埋置绝缘材料作为栅极介电材料，而可以位于该埋置绝缘层下方的掺杂半导体区的形式设置栅极电极材料，基于成熟的CMOS技术可形成高压晶体管。该高压晶体管可基于形成复杂全耗尽S...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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