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本发明公开了一种瞬时电压抑制装置，包含一轻掺杂半导体结构、一第一掺杂井区、一第一重掺杂区、一第一埋区与一第二重掺杂区。轻掺杂半导体结构属于第一导电型。第一掺杂井区属于第二导电型，并设于轻掺杂半导体结构中。第一重掺杂区属于第二导电型，并设于第...
该专利属于晶焱科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶焱科技股份有限公司授权不得商用。

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