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本发明提供一种半导体结构的图形形成方法，包括：提供基底，于基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层，图形化光刻胶层以形成预设图案，以具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二抗反射材料层进行刻蚀，第一...
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