温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的名称是用于在低温下沉积SiN的Si前体。提供用于通过原子层沉积(ALD)来沉积氮化硅膜的方法和前体。在一些实施方式中，硅前体包含碘配体。当沉积到如FinFET或其它类型的多栅极FET的三维结构上时，氮化硅膜在竖直与水平部分上均具有相...
该专利属于ASMIP控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASMIP控股有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。